IGBT 7MBR75VX-120-50

Описание IGBT модуля 7MBR75VX-120-50

Производитель: Mitsubishi Electric (или другой, если уточните)
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (RB-IGBT)
Назначение: Преобразование энергии в инверторах, частотных преобразователях, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.

Технические характеристики:

1. Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
2. Ток коллектора (I_C): 75 А (при 25°C)
3. Ток импульсный (I_CP): До 150 А (кратковременно)
4. Падение напряжения (V_CE(sat)): ~1.8–2.5 В (при номинальном токе)
5. Скорость переключения: Высокая (частота работы до нескольких кГц)
6. Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0.15–0.25 °C/Вт
7. Корпус: Стандартный модульный (например, 7MBR-серии)
8. Изоляция: Полная электрическая изоляция основания (до ~2500 В)
9. Диапазон температур:
   • Рабочая: -40°C до +125°C (или +150°C для junction)
   • Хранения: -40°C до +125°C

Парт-номера и аналоги:

Оригинальные парт-номера Mitsubishi (если модуль их производства):

• 7MBR75VX-120-50 (базовый номер)
• 7MBR75VB120-50 (возможный вариант)
• CM75DY-12H (устаревший аналог)

Совместимые модели/аналоги от других производителей:

1. Infineon: FF75R12KT3, FF75R12KE3
2. Fuji Electric: 7MBR75VA-120-50
3. SEMIKRON: SKM75GB12T4
4. ON Semiconductor: NGTB75N120FL3WG

Примечания:

• Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, особенно V_CE и ток.
• Для точного аналога учитывайте параметры диодного обратного восстановления (если модуль RB-IGBT).

Если уточните производителя или сферу применения (например, для сварочных инверторов или тяговых приводов), смогу дать более точные аналоги.