IGBT 80n60fd

Описание IGBT транзистора 80N60FD

80N60FD – это N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) с напряжением коллектор-эмиттер 600 В и током коллектора 80 А. Он предназначен для высокоэффективных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования, промышленных приводов и других мощных электронных устройств.

Основные преимущества:

• Низкие потери проводимости и переключения
• Быстрое переключение и высокая эффективность
• Встроенный быстрый диод для защиты от обратного напряжения
• Высокая стойкость к перегрузкам

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------------------------------|
| Тип транзистора | N-канальный IGBT с диодом |
| Напряжение V_CES | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 80 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 160 А |
| Мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение затвора (V_GE) | ±20 В (макс.) |
| Падение напряжения V_CE(sat) | 1,8 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 35 нс (тип.) |
| Время выключения (t_off) | 130 нс (тип.) |
| Корпус | TO-247 (3 вывода) |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IKW80N60T, IKW80N60H3
• STMicroelectronics: STGW80N60S5FD
• Fairchild (ON Semiconductor): FGH80N60SFD
• IXYS: IXGH80N60B3D1

Прямые замены (схожие параметры):

• IRG4PC50UD (International Rectifier)
• FGA80N60 (Fairchild)
• HGTG20N60A4D (Renesas)

Применение

🔹 Инверторы и частотные преобразователи
🔹 Сварочные аппараты
🔹 Импульсные блоки питания (SMPS)
🔹 Системы управления двигателями
🔹 Устройства плавного пуска

Если вам нужны уточнения по datasheet или выбору аналога – укажите конкретное применение, и я помогу подобрать оптимальный вариант.