IGBT 81-12

Описание IGBT 81-12

IGBT 81-12 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Он используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других устройствах, требующих высокоэффективного переключения больших токов и напряжений.

Технические характеристики:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 81 А (при 25 °C)
• Ток импульсный (I_CM): до 160 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): ~300-400 Вт (зависит от условий охлаждения)
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В (макс.)
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~2,0-2,5 В (при номинальном токе)
• Время включения (t_on): ~50-100 нс
• Время выключения (t_off): ~200-400 нс
• Температура перехода (T_j): от -40 °C до +150 °C
• Корпус: TO-247, TO-264 или аналогичный (зависит от производителя)

Парт-номера и совместимые модели

В зависимости от производителя, IGBT 81-12 может иметь аналоги и замены:

Парт-номера:

• Infineon: IKW75N120T2 (75 А, 1200 В)
• Fuji Electric: 2MBI100XAA120-50 (100 А, 1200 В)
• Mitsubishi: CM100DY-12NF (100 А, 1200 В)
• SEMIKRON: SKM100GB12T4 (100 А, 1200 В)
• IR (International Rectifier): IRG4PH50UD (55 А, 1200 В)

Совместимые модели в схемах:

• Для замены в инверторах:
  • IGBT 75-12 (75 А, 1200 В)
  • IGBT 100-12 (100 А, 1200 В)
• В сварочных аппаратах:
  • IGBT 80-12 (80 А, 1200 В)
  • IGBT 90-12 (90 А, 1200 В)
• В частотных преобразователях:
  • IGBT 70-12 (70 А, 1200 В)
  • IGBT 85-12 (85 А, 1200 В)

Примечание:

При замене IGBT 81-12 на аналог важно учитывать:

• Соответствие тока и напряжения.
• Скорость переключения и потери.
• Тип корпуса и способ охлаждения.

Если требуется точная замена, рекомендуется сверяться с даташитом производителя.