IGBT 91-12

Описание IGBT 91-12

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 91-12 – это силовой полупроводниковый транзистор, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой надежностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|---------------------------|----------------------------------|
| Тип транзистора | IGBT (N-канальный) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 91 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (I_C) | ~60 А (при 100°C) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | ~300–400 Вт (зависит от охлаждения) |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) |
| Типичное падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2,0–2,5 В |
| Время включения (t_on) | ~50–100 нс |
| Время выключения (t_off) | ~200–400 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0,15–0,25 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 (возможны другие варианты) |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (в зависимости от производителя):

• Infineon: IKW75N120T2, IKW90N120T2
• Fuji Electric: 2MBI100X-120
• Mitsubishi: CM900DY-12NF
• SEMIKRON: SKM100GB12T4
• IXYS: IXGH100N120B3

Совместимые модели (по характеристикам):

• IGBT 75-12 (75А / 1200В)
• IGBT 100-12 (100А / 1200В)
• IGBT 120-12 (120А / 1200В) – при условии запаса по току
• Модули с аналогичными параметрами (например, FF100R12KT4)

Примечание

Перед заменой рекомендуется уточнить схему включения, параметры драйвера и условия охлаждения. В некоторых случаях может потребоваться подстройка управляющих цепей.

Если у вас есть конкретное устройство, где используется этот IGBT, укажите его модель – помогу подобрать оптимальный аналог.