IGBT 92/16E

Описание IGBT 92/16E

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 92/16E – это мощный полупроводниковый прибор, используемый в силовой электронике для коммутации высоких токов и напряжений. Он сочетает в себе преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии).

Применяется в:

• Промышленных инверторах
• Частотных преобразователях
• Сварочном оборудовании
• Системах управления электродвигателями

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | IGBT с диодом (NPT/Trench) | | Макс. напряжение (V_CES) | 1600 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 92 А (при 25°C) | | Ток в импульсе (I_CM) | до 180 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | до 400 Вт (с теплоотводом) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2,5 В (при ном. токе) | | Время включения (t_on) | ~90 нс | | Время выключения (t_off) | ~350 нс | | Рабочая температура | -40°C … +150°C | | Корпус | TO-247 / TO-264 (зависит от производителя) |

Парт-номера и совместимые модели

IGBT 92/16E может иметь аналоги у разных производителей. Основные парт-номера:

Infineon / IR

• IRG4PH50UD (1200V, 55A, но используется как аналог)
• IRGP4063DPBF (600V, 98A, для более низких напряжений)

Fuji Electric

• 2MBI100XAA160-50 (1600V, 100A модуль)

Mitsubishi

• CM100DY-24H (1200V, 100A, модуль)

ON Semiconductor

• NGTB50N120FL2WG (1200V, 50A)

STMicroelectronics

• STGW40H160DF (1600V, 40A)

Совместимые модули

• SKM100GB128D (Semikron, 1200V, 100A)
• FF150R12KE3 (Infineon, 1200V, 150A, модуль)

Примечание

Точные параметры могут отличаться в зависимости от производителя. Для замены рекомендуется сверяться с даташитом и учитывать:

• Напряжение и ток
• Скорость переключения
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on))
• Тип корпуса

Если у вас есть конкретный производитель или дополнительные требования, уточните – подберу более точные аналоги.