IGBT A3150

IGBT A3150: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) A3150 – это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для коммутации высоких токов и напряжений в импульсных источниках питания, инверторах, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип | NPT IGBT |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1500 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 50 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,5–3,2 В |
| Входная емкость (C_ies) | ~5,0 нФ |
| Время включения (t_on) | ~100 нс |
| Время выключения (t_off) | ~350 нс |
| Корпус | TO-247 |
| Температура хранения | от -55 °C до +150 °C |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

• Прямые аналоги:

  • IRG4PH50U (International Rectifier)
  • HGTG50N60B3 (ON Semiconductor)
  • FGA50N60 (Fairchild/ON Semi)
  • IXGH50N60B3 (IXYS/Littelfuse)

• Совместимые модели по характеристикам (аналоги с близкими параметрами):

  • IRG4PC50U (1200 В, 55 А)
  • STGW50NC60WD (600 В, 50 А)
  • APT50GF120J (1200 В, 50 А)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Электроприводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужна более точная информация о конкретном производителе или даташит, уточните маркировку модуля (возможны варианты вроде A3150T, A3150D и т. д.).