IGBT A50L-0001-0103

Описание IGBT модуля A50L-0001-0103

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) модуль A50L-0001-0103 – это силовой полупроводниковый прибор, предназначенный для управления высокими напряжениями и токами в инверторах, частотных преобразователях, источниках питания и других силовых электронных устройствах.

Модуль выполнен по стандартной технологии IGBT с интегрированным антипараллельным диодом, обеспечивающим защиту от обратных токов. Он обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и стабильной работой в жестких условиях эксплуатации.

Технические характеристики

Основные параметры

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 50 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C) при 80°C: ~30 А
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 100 А
• Мощность рассеяния (P_tot): 200 Вт
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 2,1 В (типовое)
• Время включения (t_on): 60 нс
• Время выключения (t_off): 120 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Корпус: модульный, изолированный

Встроенный диод (FWD)

• Максимальное обратное напряжение (V_RRM): 600 В
• Прямой ток (I_F): 50 А
• Прямое падение напряжения (V_F): 1,8 В

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены (cross-reference)

• A50L-0001-0103 (оригинальный номер)
• CM50DY-12H (Mitsubishi)
• SKM50GB063D (Semikron)
• FF50R06RT4 (Infineon)
• MG50Q6ES42 (Fuji Electric)

Совместимые модели в схожих корпусах

• A50L-0001-0203 (версия с повышенным током)
• A30L-0001-0103 (30 А, 600 В)
• A75L-0001-0103 (75 А, 600 В)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Электроприводы

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять распиновку и характеристики с оригиналом.