IGBT A50L-0001-0175

IGBT A50L-0001-0175: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) A50L-0001-0175 – это силовой полупроводниковый модуль, используемый в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других промышленных системах управления мощностью. Этот модуль сочетает в себе высокую эффективность переключения MOSFET с низкими потерями проводимости биполярного транзистора.

Основные технические характеристики

• Тип модуля: IGBT + диод (полумост или другой конфигурации)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В / 1200 В (уточняется для конкретной модели)
• Ток коллектора (I_C): 50 А (номинальный)
• Максимальный ток коллектора (I_CM): до 100 А (импульсный)
• Мощность рассеивания (P_tot): ~200–300 Вт (зависит от условий охлаждения)
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Тип корпуса: модульный (например, 62 мм или другой стандартный форм-фактор)
• Температурный диапазон: -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0.25–0.5 °C/Вт

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Точные аналоги зависят от производителя (например, Mitsubishi, Infineon, Fuji, SEMIKRON). Возможные замены:

• Mitsubishi: CM50DY-12H, CM75DY-12H (аналоги по току/напряжению)
• Infineon: FF50R12RT4, FF75R12RT4
• SEMIKRON: SKM50GB12T4
• Fuji Electric: 2MBI50N-120

Применяемость

Модуль может использоваться в:

• ЧРП (частотно-регулируемых приводах)
• Сварочных инверторах
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленных системах управления электродвигателями

Примечание

Рекомендуется уточнять параметры по даташиту производителя, так как маркировка может отличаться в зависимости от партии и бренда. Для точного подбора аналога проверяйте:

• Конфигурацию модуля (полумост, полный мост, одиночный)
• Напряжение и ток
• Тип крепления и охлаждения

Если у вас есть дополнительные данные (производитель, фото модуля), можно уточнить характеристики.