IGBT A50L-0001-0230

Описание IGBT A50L-0001-0230

IGBT A50L-0001-0230 – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других устройствах с высокими коммутационными нагрузками.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat))
• Быстрое переключение и низкие потери
• Встроенный обратный диод (антипараллельный диод)
• Высокая надежность и температурная стабильность

Технические характеристики IGBT A50L-0001-0230

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------------------------------|
| Тип | IGBT с обратным диодом |
| Напряжение VCES | 1200 В |
| Ток коллектора IC | 50 А (при 25°C) |
| Ток импульсный ICM | 100 А (кратковременно) |
| Падение напряжения VCE(sat) | ~2.0 В (при IC = 50 А) |
| Рассеиваемая мощность PD | ~300 Вт (с радиатором) |
| Время включения ton | ~50 нс |
| Время выключения toff | ~150 нс |
| Температура перехода Tj | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (возможны вариации) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• Infineon: IKW50N60T, IKW50N120H3
• Fuji Electric: 2MBI50L-120
• Mitsubishi Electric: CM50DY-24H
• SEMIKRON: SKM50GB12T4

Совместимые модели в схемах (по параметрам):

• IRG4PC50UD (International Rectifier)
• HGTG20N60A4D (ON Semiconductor)
• STGW50NC60WD (STMicroelectronics)

Если точный аналог не найден, рекомендуется подбирать IGBT с аналогичными параметрами VCES, IC и корпусом.

Применение

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Индукционные нагреватели

Если вам нужна дополнительная информация по замене или специфическим условиям эксплуатации, уточните параметры вашего устройства.