IGBT A50L-0001-0302

Описание IGBT A50L-0001-0302

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) модуль A50L-0001-0302 – это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в промышленной электронике, частотных преобразователях, системах управления двигателями и источниках питания.

Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой перегрузочной способностью, что делает его пригодным для работы в жестких условиях.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT модуль (N-канальный) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В (или уточнить по даташиту) | | Ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 100 А (или выше) | | Мощность рассеивания (P_tot) | ~300 Вт (зависит от охлаждения) | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (стандартно) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2,0 В (при номинальном токе) | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Тип корпуса | Стандартный модульный (например, 62 мм) | | Конфигурация | Одиночный IGBT с диодом (или уточнить) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• A50L-0001-0302 (оригинальный номер)
• Возможны варианты с суффиксами (A50L-0001-0302-xx)

Совместимые модели и аналоги:

1. Infineon:
   • FF50R12RT4 (50A, 1200V)
   • IKW50N60T (50A, 600V)
2. Fuji Electric:
   • 2MBI50L-120 (50A, 1200V)
3. Mitsubishi:
   • CM50DY-24H (50A, 1200V)
4. SEMIKRON:
   • SKM50GB12T4 (50A, 1200V)

При замене аналогами важно учитывать распиновку и характеристики потерь!

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется точный даташит, рекомендуется проверить у производителя (например, Mitsubishi, Infineon или Fuji Electric).