IGBT A50L-0001-0326A

IGBT A50L-0001-0326A – Описание и технические характеристики

Описание

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) A50L-0001-0326A – это высоковольтный силовой транзистор, предназначенный для использования в импульсных преобразователях, инверторах, частотных приводах и других электронных устройствах управления мощностью. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью.

Основные технические характеристики

• Тип: IGBT-модуль (N-канальный)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 50 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 30–40 А (при повышенных температурах)
• Мощность рассеивания (P_tot): ~200–300 Вт (зависит от условий охлаждения)
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,0–2,5 В (при номинальном токе)
• Время включения (t_on): 50–100 нс
• Время выключения (t_off): 200–400 нс
• Температурный диапазон: -40°C … +150°C
• Корпус: модульный (изолированный или полуизолированный)

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (полная замена):

• A50L-0001-0326 (оригинальный номер)
• CM50DY-24H (Mitsubishi)
• FF50R12RT4 (Infineon)
• MG50Q2YS40 (Toshiba)

Частично совместимые модели (требуется проверка параметров):

• FGA50N60 (Fairchild/ON Semi)
• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• HGTG30N60A4D (Microsemi)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы и системы управления двигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять datasheet и электрические параметры. Некоторые аналоги могут отличаться по корпусу или характеристикам переключения.