IGBT A50L-0001-0329

Описание IGBT модуля A50L-0001-0329

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) модуль A50L-0001-0329 — это силовой полупроводниковый прибор, предназначенный для управления высокими напряжениями и токами в мощных электронных системах. Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.

Модуль выполнен в стандартном корпусе с изолированным основанием, что обеспечивает эффективный отвод тепла и простоту монтажа на радиатор.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип транзистора | IGBT + диод (встроенный антипараллельный диод) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 50 А |
| Пиковый ток (I_CP) | 100 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | ~300 Вт (зависит от условий охлаждения) |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2.0 В (при номинальном токе) |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | н/д (уточняется в даташите) |
| Температура эксплуатации | -40°C … +150°C |
| Корпус | Стандартный модуль (например, 6-контактный) |
| Изоляция корпуса | Да (до ~2500 В) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены могут отличаться по характеристикам, поэтому перед заменой рекомендуется сверяться с даташитом.

Прямые аналоги:

• A50L-0001-0327 (возможна схожая серия)
• CM50DY-24H (Mitsubishi)
• SKM50GB12T4 (Semikron)
• FF50R12RT4 (Infineon)

Совместимые модели (похожие параметры):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N65SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60B3 (Microsemi)

Примечание

Для точного подбора аналога рекомендуется проверять:

• Распиновку и конструкцию корпуса.
• Параметры V_CES, I_C, V_CE(sat).
• Условия охлаждения и монтажа.

Если у вас есть даташит на A50L-0001-0329, точные параметры можно уточнить в нем.