IGBT A50L-0001-0343

Описание IGBT A50L-0001-0343

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) модуль A50L-0001-0343 – это высоковольтный силовой полупроводниковый прибор, предназначенный для использования в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других системах управления мощностью.

Этот модуль сочетает в себе преимущества биполярных транзисторов (высокую токовую нагрузку) и MOSFET (быстрое переключение). Он имеет низкие потери проводимости и высокую устойчивость к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 50 А |
| Ток коллектора (импульсный) | 100 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2.5 В (при I_C = 50 А) |
| Время включения (t_on) | 80 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Температура эксплуатации | -40°C … +150°C |
| Корпус | модульный (изолированный) |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

• Прямые аналоги:

  • A50L-0001-0343 (оригинальный номер)
  • CM50DY-24H (Mitsubishi)
  • SKM50GB128D (Semikron)
  • FF50R12RT4 (Infineon)

• Совместимые модели (по характеристикам):

  • FGA50N65SMD (Fairchild/ON Semi)
  • IXGH50N60B3D1 (IXYS)
  • IRG4PC50UD (International Rectifier)

Данный модуль может заменяться аналогами с аналогичными или более высокими параметрами по напряжению и току.

Если вам нужно уточнить применение в конкретном устройстве, укажите модель оборудования – помогу подобрать оптимальную замену.