IGBT A50L-1-0212

Описание IGBT A50L-1-0212

IGBT A50L-1-0212 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для использования в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления двигателями. Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери при переключении и устойчивость к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------|--------------| | Тип | IGBT-модуль (N-канальный) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 50 А | | Ток коллектора (импульсный) | 100 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,1 В (при I_C = 25 А) | | Время включения (t_on) | 60 нс | | Время выключения (t_off) | 120 нс | | Корпус | TO-247 или аналогичный | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• A50L-1-0212 (базовая модель)
• A50L10212 (альтернативное написание)

Совместимые модели и аналоги:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N120BND (Microsemi)
• IXGH50N120B3 (IXYS/Littelfuse)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется более точный аналог, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров.