IGBT AM80A300L120F18

Описание и технические характеристики IGBT AM80A300L120F18

Описание:
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) AM80A300L120F18 – это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых приложений. Он сочетает в себе преимущества биполярного транзистора (высокую токовую нагрузку) и полевого транзистора (легкость управления затвором). Модуль подходит для инверторов, преобразователей частоты, сварочного оборудования, систем управления электродвигателями и других силовых электронных устройств.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-----------------------------|---------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 80 А (при 25°C) | | Ток коллектора (I_C) | 160 А (импульсный) | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 1.8 В (при I_C = 80 А) | | Время включения (t_on) | ≈ 50 нс | | Время выключения (t_off) | ≈ 250 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур (T_j) | -40°C ... +150°C | | Тип корпуса | TO-247 или аналогичный | | Схема внутренних диодов | Встроенный свободно-колебательный диод (FRD) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW80N120H3, IKW80N120T2
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
• Mitsubishi Electric: CM800HA-24H
• SEMIKRON: SKM800GA124D
• ON Semiconductor: NGTB80N120L3WG

Совместимые модули в схожих корпусах:

• IR (Infineon): IRG4PH40UD (меньший ток, но схожее напряжение)
• STMicroelectronics: STGW80H120DF3

Применение:

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электродвигателей
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты
• Системы управления мощностью

Если вам нужен точный аналог, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров, особенно по напряжению V_CES и току I_C.