IGBT APT100GN120B2G

Описание IGBT APT100GN120B2G

APT100GN120B2G – это изолированный биполярный транзистор с полевым затвором (IGBT) от компании Advanced Power Technology (APT, ныне Microsemi/ON Semiconductor).

Этот модуль предназначен для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:

• Промышленные инверторы
• Преобразователи частоты
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Ключевые преимущества:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (1200 В)
• Низкие потери проводимости и переключения
• Встроенный антипараллельный диод (FRD)
• Высокая стойкость к перегрузкам

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 100 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 50 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 75 нс | | Время выключения (t_off) | 350 нс | | Встроенный диод | Fast Recovery Diode (FRD) | | Максимальная рабочая температура | 150°C | | Корпус | TO-247 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IKW100N120T2
• Fuji Electric: 2MBI100N-120
• Mitsubishi: CM100DY-24H
• STMicroelectronics: STGW100NC120HD

Прямые замены (аналогичные APT):

• APT100GN120J (более ранняя версия)
• APT100GN120L (с улучшенными характеристиками)

Вывод

APT100GN120B2G – надежный IGBT-модуль для силовой электроники, подходящий для замены на аналоги от Infineon, Fuji, Mitsubishi и STMicroelectronics. При замене важно учитывать параметры напряжения, тока и тепловые характеристики.

Если вам нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните – помогу найти документацию.