IGBT APT100GT120JR

Описание IGBT APT100GT120JR

APT100GT120JR — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) производства Microchip Technology (APT). Предназначен для высокоэффективных силовых приложений, таких как инверторы, импульсные источники питания, электроприводы и промышленные преобразователи частоты.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (1200 В)
• Ток коллектора (100 А) при 25°C
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Быстрое переключение с минимальными потерями
• Встроенный антипараллельный диод (FRD)
• Планарная технология для высокой надежности
• Изолированный корпус (TO-247) для удобного монтажа

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------------------------------|
| Напряжение V_CES | 1200 В |
| Ток коллектора I_C (при 25°C) | 100 А (макс.) |
| Ток коллектора I_C (при 100°C) | 60 А (макс.) |
| Импульсный ток I_CM | 200 А (макс.) |
| Падение напряжения V_CE(sat) | 2.5 В (тип.) при I_C = 100 А |
| Мощность потерь P_D | 330 Вт (макс.) |
| Температура перехода T_J | -55°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление R_θJC | 0.35 °C/Вт |
| Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Парт-номера APT100GT120JR

• APT100GT120J (версия без изолированного корпуса)
• APT100GT120JRG (вариант с улучшенными характеристиками)

Совместимые аналоги от других производителей

• IXGH100N120B3 (IXYS)
• FGA100N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IRG4PH50UD (Infineon) – с меньшим током, но схожими параметрами
• STGW100H120DF (STMicroelectronics)

Похожие модели APT

• APT50GT120J (50 А, 1200 В)
• APT150GT120J (150 А, 1200 В)
• APT100GT60J (100 А, 600 В)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Электроприводы и ЧПУ
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Если нужна дополнительная информация (графики, даташит), уточните!