IGBT APT200GN60JDQ4

Описание IGBT APT200GN60JDQ4

APT200GN60JDQ4 — это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом в корпусе TO-247, разработанный компанией Microsemi (Microchip Technology). Предназначен для высоковольтных и высокочастотных применений, таких как:

• Инверторы и преобразователи
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Управление электродвигателями
• Сварочное оборудование
• Промышленные и автомобильные системы

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------|------------------|
| Тип транзистора | N-канальный IGBT с диодом |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 200 А (при 25°C) |
| Пиковый ток (I_CM) | 400 А |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 625 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 240 нс |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | от -55°C до +150°C |
| Встроенный диод | Да (ультрабыстрый антипараллельный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены

• APT200GN60J (ближайший аналог без буквы "DQ4")
• IXGN200N60B3 (IXYS)
• IRG4PC50UD (International Rectifier)
• FGA200N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW200NC60WD (STMicroelectronics)

Совместимые корпусы и серии

• TO-247-3L (стандартный корпус)
• APT/IXGN серии (Microsemi/IXYS)
• IRGP/IRGB серии (Infineon/IR)

Примечание

При замене на аналог учитывайте:

• Напряжение V_CES
• Ток коллектора I_C
• Параметры встроенного диода (если требуется)

Если нужна помощь с подбором аналога для конкретного применения — уточните условия работы.