IGBT APT60GF120JRDQ3

Описание IGBT APT60GF120JRDQ3

APT60GF120JRDQ3 — это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом, разработанный для высокоэффективных силовых приложений. Он предназначен для использования в инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах и системах управления двигателями.

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность и низкие потери при переключении.
• Встроенный ультрабыстрый обратный диод.
• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES).
• Надежная конструкция для работы в тяжелых условиях.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |--------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT с диодом | | Напряжение V_CES | 1200 В | | Ток коллектора I_C | 60 А (при 25°C) | | Ток импульсного режима I_CM | 120 А | | Рассеиваемая мощность P_D | 300 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер V_GE | ±20 В (макс.) | | Время включения t_d(on) | 22 нс (тип.) | | Время выключения t_d(off) | 120 нс (тип.) | | Корпус | TO-247 | | Диапазон температур | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• APT60GF120JR (аналог без изменений в маркировке)
• IRG4PH50UD (аналог от International Rectifier)
• FGA60N120ANDTU (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH60N120B3 (IXYS/Littelfuse)

Совместимые модули (для замены в схемах):

• SKM60GB128D (Semikron, в составе модуля)
• CM60DY-24H (Mitsubishi, в составе модуля)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Электромобили и зарядные станции
• Управление электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы

Если требуется более точный подбор аналога, рекомендуется уточнить параметры схемы и условия эксплуатации.