IGBT APT60GT60JR

Описание IGBT APT60GT60JR

APT60GT60JR — это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом в корпусе TO-247, разработанный для высокоэффективных импульсных преобразователей и инверторных систем. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его подходящим для применения в:

• Частотных преобразователях
• Импульсных источниках питания (SMPS)
• Системах управления электродвигателями
• Индукционном нагреве
• Сварочном оборудовании

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|------------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 60 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 120 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 60 А) | | Время включения (t_on) | 35 нс | | Время выключения (t_off) | 110 нс | | Встроенный диод | Да (ультрабыстрый) | | Корпус | TO-247 | | Температура хранения/работы | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (полные замены):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA60N65SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N60B3 (Microsemi)

Частично совместимые модели (требуется проверка по параметрам):

• IXGH60N60B3D1 (IXYS)
• STGW60H65DFB (STMicroelectronics)
• NGTB60N65FL2WG (ON Semiconductor)

Альтернативные парт-номера от APT:

• APT60GR60J (более старая версия)
• APT60GF60J (с другим типом корпуса)

Примечания:

1. При замене на аналог важно учитывать:
   • Напряжение V_CES и ток I_C.
   • Параметры встроенного диода (если используется).
   • Тепловые характеристики (R_θJC).
2. Для APT60GT60JR рекомендуется использовать драйверы с током затвора ≥2 А для минимизации потерь.

Если нужна дополнительная информация по конкретному применению, уточните условия работы (частота, нагрузка, система охлаждения).