IGBT APT75GP120

Описание IGBT APT75GP120

APT75GP120 — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) от компании Advanced Power Technology (APT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных силовых приложений. Он обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его пригодным для инверторов, импульсных источников питания, сварочного оборудования и электроприводов.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 75 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 45 А |
| Максимальная импульсная мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 2,5 В (при 75 А) |
| Время включения (t_on) | 45 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Тепловое сопротивление корпус-среда (R_thJC) | 0,42 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |
| Диапазон температур эксплуатации | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от других производителей:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• HGTG20N120B3D (Fairchild/ON Semiconductor)
• FGA75N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH75N120B3 (IXYS/Littelfuse)

Похожие модели APT (серия GP120):

• APT50GP120 (50 А, 1200 В)
• APT100GP120 (100 А, 1200 В)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями
• Импульсные источники питания

Этот IGBT обеспечивает высокую надежность и эффективность в высоковольтных схемах. При замене на аналог рекомендуется проверять соответствие характеристик, особенно V_CES и I_C.