IGBT b16012

Описание IGBT B16012

B16012 – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Он используется в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других высоковольтных/высокотоковых приложениях.

Основные особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES).
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)).
• Быстрое переключение и низкие динамические потери.
• Встроенный свободно-колеблющий диод (FWD) для защиты от обратного напряжения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 160 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 80 А* |
| Импульсный ток (I_CM) | 320 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при I_C = 160 А) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 600 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 или аналогичный |

*Ток зависит от условий охлаждения.

Парт-номера и совместимые модели

В зависимости от производителя, аналогами могут быть:

• Infineon: IKQ160N120T (1200V, 160A)
• Fuji Electric: 2MBI200XB-120 (1200V, 200A)
• Mitsubishi: CM600DY-12NF (1200V, 600A, модуль)
• SEMIKRON: SKM200GB12T4 (1200V, 200A)

Примечание: Полное соответствие нужно проверять по даташитам, так как параметры могут отличаться.

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• Электроприводы и сервосистемы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужны более точные данные, укажите производителя или приложите даташит.