IGBT BCR30GM

IGBT BCR30GM
Артикул: 296936

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT BCR30GM

Описание IGBT BCR30GM

BCR30GM — это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для управления высокими токами и напряжениями в импульсных схемах. Используется в инверторах, сварочных аппаратах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

  • Тип транзистора: N-канальный IGBT
  • Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 600 В
  • Номинальный ток коллектора (IC): 30 А
  • Пиковый ток (ICM): 60 А
  • Мощность рассеяния (Ptot): 150 Вт (при Tc = 25°C)
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): 2,5 В (при IC = 30 А)
  • Время включения (ton): 50 нс
  • Время выключения (toff): 200 нс
  • Температура перехода (Tj): от -40°C до +150°C
  • Корпус: TO-220AB (3 контакта)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

  • IRG4BC30KD (International Rectifier)
  • HGTG30N60B3 (Fairchild/ON Semiconductor)
  • FGA30N60 (Fairchild)
  • STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

Совместимые модели в схемах:

  • Подходит для замены в схемах с аналогичными параметрами (600 В, 30 А).
  • Может использоваться вместо BCR30GM-12, BCR30GM-14 (если корпус и распиновка совпадают).

Если вам нужен точный аналог, стоит учитывать параметры управляющего напряжения затвора и тепловые характеристики.

Нужна более подробная информация по конкретному применению?

Товары из этой же категории