IGBT BCR30GM

Артикул: 296936
Требуется установка или ремонт?
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT BCR30GM
Описание IGBT BCR30GM
BCR30GM — это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для управления высокими токами и напряжениями в импульсных схемах. Используется в инверторах, сварочных аппаратах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах.
Технические характеристики
- Тип транзистора: N-канальный IGBT
- Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 600 В
- Номинальный ток коллектора (IC): 30 А
- Пиковый ток (ICM): 60 А
- Мощность рассеяния (Ptot): 150 Вт (при Tc = 25°C)
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): 2,5 В (при IC = 30 А)
- Время включения (ton): 50 нс
- Время выключения (toff): 200 нс
- Температура перехода (Tj): от -40°C до +150°C
- Корпус: TO-220AB (3 контакта)
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- IRG4BC30KD (International Rectifier)
- HGTG30N60B3 (Fairchild/ON Semiconductor)
- FGA30N60 (Fairchild)
- STGW30NC60WD (STMicroelectronics)
Совместимые модели в схемах:
- Подходит для замены в схемах с аналогичными параметрами (600 В, 30 А).
- Может использоваться вместо BCR30GM-12, BCR30GM-14 (если корпус и распиновка совпадают).
Если вам нужен точный аналог, стоит учитывать параметры управляющего напряжения затвора и тепловые характеристики.
Нужна более подробная информация по конкретному применению?