IGBT BSM10GD120DN2E3224

Описание IGBT BSM10GD120DN2E3224

BSM10GD120DN2E3224 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и системы управления двигателями. Модуль объединяет IGBT-транзисторы и диоды в одном корпусе, обеспечивая высокую эффективность и надежность.

Производитель: Infineon Technologies (ранее Siemens Semiconductors).

Технические характеристики

| Характеристика | Значение | |------------------------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 10 A (при 25°C) | | Ток коллектора (I_C) | 6 A (при 100°C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 20 A | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 35 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (при I_C = 10 A) | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 350 нс | | Корпус | DIP (Dual In-line Package) | | Диапазон рабочих температур | -40°C ... +150°C | | Встроенный диод | Да (антипараллельный) |

Парт-номера (альтернативные обозначения)

• BSM10GD120DN2 (основная модель без суффикса)
• BSM10GD120DN2H (модификация с улучшенными характеристиками)
• BSM10GD120D (укороченное обозначение)

Совместимые и аналогичные модели

Infineon Technologies:

• BSM15GD120DN2 (15 A, 1200 В)
• BSM20GD120DN2 (20 A, 1200 В)
• BSM10GP120 (аналог с другим корпусом)
• BSM50GB120DN2 (50 A, 1200 В)

Другие производители:

• FGA15N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• MG10Q2BS12 (Mitsubishi Electric)
• SKM100GB12T4 (Semikron)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты

Если требуется более высокая нагрузочная способность, можно использовать аналоги с большим током (например, BSM20GD120DN2). Для проверки совместимости в конкретной схеме рекомендуется сверяться с даташитом.

Нужна дополнительная информация?