IGBT BSM150GB120DN2E3256

BSM150GB120DN2E3256 — это модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный компанией Eupec (ныне часть Infineon Technologies). Этот модуль предназначен для высокоэффективного управления мощными нагрузками в различных промышленных приложениях.​

Технические характеристики:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CE): 1200 В

• Максимальный постоянный ток коллектора (I_C): 150 А​

• Конфигурация: Полумост (Half-Bridge)​

• Встроенный диод: Быстродействующий внутренний диод​

• Тип корпуса: Модуль с низкой индуктивностью​

• Технология: Второе поколение IGBT​

Применение:

Модуль BSM150GB120DN2E3256 широко используется в следующих областях:​

• Промышленные приводы​

• Системы управления электродвигателями​

• Источники бесперебойного питания (ИБП)​

• Силовая электроника для возобновляемых источников энергии​

Совместимые модели и аналоги:

• BSM150GB120DN2: Базовая модель без дополнительных опций​

• BSM150GB120DN2F: Модель с дополнительными функциями, такими как улучшенное охлаждение​

• BSM150GB120DN2E3166: Вариант с другими спецификациями, подходящий для определенных приложений​

При выборе аналога важно учитывать требования конкретного применения, включая параметры напряжения, тока и тепловые характеристики.​

При интеграции модуля BSM150GB120DN2E3256 в систему рекомендуется ознакомиться с официальной документацией производителя для обеспечения правильного монтажа и эксплуатации. Также следует учитывать требования к охлаждению и условиям эксплуатации для достижения оптимальной производительности и долговечности устройства.