IGBT BSM25GB120DN2

Описание IGBT модуля BSM25GB120DN2

BSM25GB120DN2 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для высокоэффективных силовых преобразований в промышленных и бытовых приложениях. Модуль включает в себя два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами, собранные в полумостовой (half-bridge) конфигурации.

Основные применения:

• Инверторы (частотные преобразователи)
• Промышленные приводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Системы управления электродвигателями

Технические характеристики BSM25GB120DN2

| Параметр | Значение |
|----------------------------|---------------------------------------|
| Тип модуля | IGBT полумост (Half-Bridge) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 25 А (при 25°C) / 40 А (при 80°C) |
| Ток импульса (I_CM) | 50 А (макс.) |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 160 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,85 В (тип.) |
| Время включения (t_d(on)) | 40 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 260 нс |
| Встроенный диод | Да (FRD – Fast Recovery Diode) |
| Корпус | 34 мм (SEMITOP™ 2) |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,75 К/Вт |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги от Infineon:

• BSM25GB120DN2E (аналогичный, с улучшенными характеристиками)
• BSM25GD120DN2 (альтернатива с другим корпусом)

Аналоги от других производителей:

• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• CM75DY-24H (Mitsubishi Electric)
• SKM75GB12T4 (Semikron)

Замечания по совместимости

При замене модуля необходимо учитывать:

• Рабочее напряжение и ток
• Корпусное исполнение и крепление
• Время переключения и параметры встроенного диода

Модуль BSM25GB120DN2 является популярным решением для среднемощных инверторов и может заменяться аналогами с близкими характеристиками.

Если нужны более точные данные по конкретному применению, уточните параметры вашей схемы.