IGBT BSM300GA120DN11

Описание IGBT модуля BSM300GA120DN11

BSM300GA120DN11 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от SEMIKRON, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений в промышленной электронике, таких как:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Модуль выполнен в стандартном корпусе 62 mm, обеспечивает высокую надежность и эффективность благодаря низкому падению напряжения и высокой скорости переключения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------------|-----------------------------|
| Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 300 А |
| Макс. импульсный ток (I_CP) | 600 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) |
| Встроенный диод | Да (антипараллельный) |
| Макс. рабочая температура | 150°C (T_j) |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 К/Вт |
| Входная емкость (C_ies) | 30 нФ |
| Корпус | SEMiX 4 (62 мм) |

Совместимые модели и парт-номера

Аналоги от SEMIKRON:

• BSM300GB120DN2 (аналогичные параметры, улучшенная конструкция)
• BSM300GA120DLC (схожий модуль, другой корпус)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF300R12KT4
• Mitsubishi Electric: CM300DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI300U4A-120

Взаимозаменяемость:

Модуль можно заменять на аналоги с такими же характеристиками по току и напряжению, но необходимо учитывать различия в корпусах и схемах управления.

Примечание:

Перед заменой модуля рекомендуется сверить распиновку и характеристики в даташите, так как у разных производителей могут быть отличия в управляющих цепях и тепловых параметрах.

Если требуется точный аналог, лучше выбирать модули из линейки SEMIKRON с маркировкой BSM300Gxxx.