IGBT BSM35GD120D

Описание IGBT модуля BSM35GD120D

BSM35GD120D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), разработанный для мощных импульсных преобразователей, частотных приводов и инверторов. Модуль содержит два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное коллектор-эмиттерное напряжение (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C) | 35 А |
| Ток коллектора (I_C при 80°C) | 23 А |
| Импульсный ток коллектора (I_CM) | 70 А |
| Мощность рассеяния (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat) при 25°C) | 2,1 В |
| Время включения (t_on) | 55 нс |
| Время выключения (t_off) | 310 нс |
| Встроенный свободный диод (FWD) | Да |
| Обратное напряжение диода (V_RRM) | 1200 В |
| Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,35 К/Вт |
| Корпус | модуль, изолированный (SEMITRANS) |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Аналоги и совместимые модели

Парт-номера (альтернативные обозначения)

• BSM35GD120DN2 (модификация с улучшенными характеристиками)
• BSM35GP120 (аналог с другим корпусом)
• SKM35GB120D (от Semikron, аналогичные параметры)
• FF35R12RT4 (Infineon)

Совместимые модели (полумостовые IGBT 1200V ~35A)

• Infineon: FF35R12KE3, FF35R12W1T4
• Mitsubishi: CM35DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI35U-120
• IXYS (Littelfuse): MIXA35PF1200HE

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров, особенно по току, напряжению и тепловым характеристикам.