IGBT BSM50GB102D

Описание IGBT модуля BSM50GB102D

BSM50GB102D — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для применения в силовой электронике, частотных преобразователях, инверторах и системах управления электродвигателями.

Модуль содержит два IGBT транзистора с антипараллельными диодами, собранные в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации. Корпус обеспечивает высокую механическую прочность и эффективное охлаждение.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип модуля | Half-Bridge (2 x IGBT + диоды) |
| Макс. напряжение (V_CES) | 1000 В |
| Номинальный ток (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CP) | 100 А |
| Мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2.1 В (тип.) |
| Время переключения (t_on/t_off) | 80 нс / 400 нс |
| Температурный диапазон | -40°C до +150°C |
| Корпус | 34 мм (изолированный, с монтажным отверстием) |

Парт-номера и альтернативные модели

Прямые аналоги (Infineon):

• BSM50GB120D (1200 В, 50 А)
• BSM50GB60D (600 В, 50 А)
• BSM25GB120D (1200 В, 25 А)

Совместимые модели других производителей:

• Mitsubishi: CM50DY-12H (1000 В, 50 А)
• Fuji Electric: 2MBI50N-100 (1000 В, 50 А)
• SEMIKRON: SKM50GB12T4 (1200 В, 50 А)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Инверторы для солнечных электростанций
• Управление электродвигателями
• Сварочное оборудование

Если нужна дополнительная информация по подключению или замене модуля, уточните детали.