IGBT BSM50GB120DLC

Описание IGBT модуля BSM50GB120DLC

BSM50GB120DLC – это IGBT-модуль с номинальным током 50 А и напряжением 1200 В, разработанный для высокоэффективных силовых преобразовательных устройств. Он используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других промышленных приложениях.

Модуль включает в себя два IGBT транзистора с антипараллельными диодами (полумостовая конфигурация), что обеспечивает высокую надежность и эффективность в схемах преобразования энергии.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|---------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Мощность рассеяния (P_tot) | 200 Вт |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1,8 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 70 нс |
| Время выключения (t_off) | 300 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Корпус | модуль (Insulated) |
| Конфигурация | полумост (2 IGBT + 2 диода) |

Парт-номера (аналоги и замены)

Полные аналоги:

• BSM50GB120DN2 (Infineon)
• CM50DY-12H (Mitsubishi)
• FP50R12KT3 (Infineon)

Частично совместимые модели (схожие параметры):

• SKM50GB12T4 (Semikron)
• MG50Q1BS41 (Littelfuse)
• 2MBI50U4B-120 (Fuji Electric)

Применение и совместимость

Модуль BSM50GB120DLC совместим с различными преобразователями и драйверами, поддерживающими стандартные полумостовые конфигурации. Его можно заменить на аналоги с похожими характеристиками, но рекомендуется проверять распиновку и тепловые параметры.

Если вам нужна более детальная информация по заменам или драйверам, уточните условия эксплуатации (частоты, охлаждение и т. д.).