IGBT BSM50GB120DN11

Описание IGBT модуля BSM50GB120DN1

BSM50GB120DN1 – это IGBT-модуль от Infineon Technologies, предназначенный для мощных инверторных и преобразовательных применений. Модуль объединяет два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации.

Основные области применения:

• Промышленные приводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Инверторы для электродвигателей
• Сварочное оборудование
• Солнечные инверторы

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT Half-Bridge (2 в 1) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А |
| Ток коллектора (I_C) при 80°C | 30 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Мощность потерь (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) |
| Время переключения (t_on/t_off) | 50 нс / 300 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,35 К/Вт |
| Диапазон рабочих температур | от -40°C до +150°C |
| Корпус | 34-выводный, модульный (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon

• BSM50GB120DN2 (обновлённая версия с улучшенными параметрами)
• BSM50GB120DLC (альтернативный вариант с похожими характеристиками)

Совместимые модели от других производителей

• Fuji Electric: 2MBI50U-120
• Mitsubishi Electric: CM50DY-24H
• Semikron: SKM50GB120D

Заключение

Модуль BSM50GB120DN1 подходит для замены в схемах, где требуется полумостовая конфигурация IGBT с напряжением 1200 В и током до 50 А. При замене важно учитывать тепловые характеристики и параметры управления (затворные резисторы, драйверы).

Если требуется более современный аналог, можно рассмотреть BSM50GB120DN2 или аналоги от других производителей.