IGBT BSM50GB120DN11

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT BSM50GB120DN11
Описание IGBT модуля BSM50GB120DN1
BSM50GB120DN1 – это IGBT-модуль от Infineon Technologies, предназначенный для мощных инверторных и преобразовательных применений. Модуль объединяет два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации.
Основные области применения:
- Промышленные приводы
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Инверторы для электродвигателей
- Сварочное оборудование
- Солнечные инверторы
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT Half-Bridge (2 в 1) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Ток коллектора (IC) при 25°C | 50 А |
| Ток коллектора (IC) при 80°C | 30 А |
| Импульсный ток (ICM) | 100 А |
| Мощность потерь (Ptot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2,1 В (тип.) |
| Время переключения (ton/toff) | 50 нс / 300 нс |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,35 К/Вт |
| Диапазон рабочих температур | от -40°C до +150°C |
| Корпус | 34-выводный, модульный (изолированный) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги от Infineon
- BSM50GB120DN2 (обновлённая версия с улучшенными параметрами)
- BSM50GB120DLC (альтернативный вариант с похожими характеристиками)
Совместимые модели от других производителей
- Fuji Electric: 2MBI50U-120
- Mitsubishi Electric: CM50DY-24H
- Semikron: SKM50GB120D
Заключение
Модуль BSM50GB120DN1 подходит для замены в схемах, где требуется полумостовая конфигурация IGBT с напряжением 1200 В и током до 50 А. При замене важно учитывать тепловые характеристики и параметры управления (затворные резисторы, драйверы).
Если требуется более современный аналог, можно рассмотреть BSM50GB120DN2 или аналоги от других производителей.