IGBT BSM50GD120DLC

Описание IGBT модуля BSM50GD120DLC

BSM50GD120DLC – это IGBT-модуль второго поколения (NPT – Non-Punch Through) в стандартном корпусе, разработанный для мощных преобразовательных устройств. Модуль содержит два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами, собранные по схеме полумоста. Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C @ 25°C): 50 А
• Ток коллектора (I_C @ 80°C): 30 А
• Импульсный ток (I_CM): 100 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 300 Вт
• Класс изоляции: 2500 В (мин.)

Параметры IGBT:

• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2.5 В (тип.)
• Время включения (t_on): 80 нс
• Время выключения (t_off): 500 нс

Параметры диода:

• Прямое напряжение (V_F): 1.8 В
• Время восстановления (t_rr): 150 нс

Тепловые характеристики:

• Температура перехода (T_j): -40°C … +150°C
• Термическое сопротивление (R_th(j-c)): 0.35 °C/Вт

Механические характеристики:

• Корпус: модуль с изолированным основанием
• Монтаж: винтовое крепление
• Вес: ~90 г

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF50R12RT4
• Mitsubishi: CM50DY-24H
• Fuji Electric: 2MBI50N-120
• SEMIKRON: SKM50GB12T4

Парт-номера (альтернативные обозначения):

• BSM50GD120DLC2
• BSM50G120DLC
• BSM 50G D120 DLC

Применение и совместимость

Модуль BSM50GD120DLC может быть заменен на аналогичные модули с такими же параметрами (1200 В, 50 А, полумостовая схема). Перед заменой рекомендуется проверить разводку выводов и тепловые характеристики.

Если требуется более современный аналог, можно рассмотреть модули с технологией TrenchGate (IGBT4) или SiC-диодами для снижения потерь.

Для уточнения совместимости в конкретном устройстве лучше сверяться с даташитами производителей.

Если нужна дополнительная информация, уточните запрос!