IGBT BSM50GD120DN2-E3226

Описание IGBT модуля BSM50GD120DN2-E3226

Производитель: Infineon Technologies
Тип: IGBT-модуль (двухуровневый, с обратным диодом)
Назначение: Применяется в инверторах, частотных преобразователях, системах управления двигателями, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C): 50 А
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 100 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 200 Вт
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 2,1 В (тип.)
• Время включения (t_on): 60 нс
• Время выключения (t_off): 350 нс

Параметры встроенного диода:

• Максимальное обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Ток диода (I_F): 50 А
• Прямое падение напряжения (V_F): 1,7 В

Тепловые характеристики:

• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,35 К/Вт

Корпус и подключение:

• Тип корпуса: DIP-24 (EASY 2B)
• Изоляция: Полная электрическая изоляция (V_ISO = 2500 В)

Парт-номера и совместимые модели

Альтернативные парт-номера Infineon:

• BSM50GD120DN2 (базовая версия без суффикса)
• BSM50GD120DN2H (модификация с улучшенными характеристиками)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Mitsubishi: CM50DY-12H (CM50DY-12S)
• Fuji Electric: 2MBI50N-120
• Semikron: SKM50GB12T4
• STMicroelectronics: STGW50HF60S

Примечания по замене

При подборе аналога важно учитывать:

• Напряжение и токовые характеристики.
• Тип корпуса и схему подключения.
• Наличие встроенного диода и его параметры.

Рекомендуется сверять datasheet перед заменой!