IGBT BSM50GD120DN2-E3224

Описание IGBT модуля BSM50GD120DN2-E3224

Производитель: Infineon Technologies
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (Inverter Leg)
Назначение: Применяется в импульсных источниках питания, промышленных приводах, системах управления электродвигателями, сварочных инверторах и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|---------------------------------------| | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Ток в импульсном режиме (I_CP) | 100 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт (при T_c = 25°C) | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2.1 В (тип., при I_C = 50 А) | | Время включения/выключения (t_on/t_off) | 45 нс / 320 нс | | Диод обратного хода (FWD): | Встроенный, 50 А, 1200 В | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.35 К/Вт | | Корпус: | 34 мм, модуль с изолированным основанием (EASY1B) | | Диапазон рабочих температур: | -40°C ... +150°C |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги от Infineon:

• BSM50GD120DN2 (базовая версия без суффикса)
• BSM50GD120DN2H (модификация с улучшенными характеристиками)

Совместимые/похожие модели от других производителей:

• SEMIKRON: SKM50GB12T4
• Fuji Electric: 2MBI50S-120
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• STMicroelectronics: STGW50HF60WD

Замены с другими параметрами (требуется проверка схемы):

• BSM35GD120DN2 (35 А, 1200 В) – для меньших токов
• BSM75GD120DN2 (75 А, 1200 В) – для больших нагрузок

Особенности и примечания

• Встроенный NTC-термистор для контроля температуры.
• Изолированный корпус для удобного монтажа на радиатор.
• Рекомендуется использовать с теплопроводящей пастой для улучшения теплоотвода.

Если требуется точная замена, необходимо учитывать: напряжение, ток, скорость переключения и корпусные параметры. Для критичных применений лучше выбирать оригинальные модули Infineon или проверенные аналоги с аналогичными характеристиками.