IGBT BSM50GD60DN2

Описание IGBT BSM50GD60DN2

BSM50GD60DN2 — это NPT IGBT-модуль с интегрированным антипараллельным диодом, разработанный для мощных инверторов и преобразователей. Модуль используется в промышленных приложениях, таких как:

• Частотные преобразователи
• Источники питания
• Электроприводы
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями

Модуль выполнен в изолированном корпусе, что обеспечивает простоту монтажа на радиатор.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------------|-----------------------------------|
| Тип модуля | IGBT + диод (NPT-технология) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 250 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 30 нс (тип.) |
| Время выключения (t_off) | 150 нс (тип.) |
| Диод обратного восстановления (t_rr) | 120 нс (тип.) |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт |
| Рабочая температура | от -40°C до +150°C |
| Корпус | 29-контактный, полумостовой |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF50R06KE3
• Mitsubishi: CM50DY-24H
• Fuji Electric: 2MBI50N-060
• Semikron: SKM50GB063D

Парт-номера для замены в других сериях:

• BSM50GB60DN2 (аналогичный, но с другими характеристиками диода)
• BSM50GD120DN2 (версия на 1200 В)

Заключение

BSM50GD60DN2 — надежный IGBT-модуль, подходящий для высокомощных преобразователей и инверторов. Благодаря низким потерям и эффективному охлаждению, он широко применяется в промышленной электронике.

Если нужны аналоги или более точные параметры для конкретного применения — уточните условия эксплуатации.