IGBT BSM50GP060G

Описание IGBT модуля BSM50GP060G

BSM50GP060G – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Infineon Technologies, предназначенный для применения в силовой электронике. Модуль интегрирует два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации.

Основные сферы применения:

• Преобразователи частоты (инверторы)
• Управление электродвигателями
• Импульсные источники питания
• Промышленные приводы
• Солнечные инверторы

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|-------------| | Производитель | Infineon | | Конфигурация | Полумост (Half-Bridge) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 50 А | | Импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Мощность рассеяния (P_tot) | 200 Вт | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1,8 В (при 25 А) | | Время включения (t_on) | ~45 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Диод обратного восстановления (t_rr) | ~85 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,45 °C/Вт | | Рабочая температура | -40°C до +150°C | | Корпус | 34-выводной (стандартный для модулей) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналогичные модели Infineon:

• BSM50GP120 (1200 В, 50 А)
• BSM75GP60 (600 В, 75 А)
• BSM100GB60DLC (600 В, 100 А)

Альтернативы от других производителей:

• FGA50N60 (Fairchild, 600 В, 50 А)
• IRG4PC50UD (International Rectifier, 600 В, 55 А)
• STGW50NC60WD (STMicroelectronics, 600 В, 50 А)

Совместимые модули в полумостовой конфигурации:

• SKM50GB063D (Semikron)
• MG50Q6ES40 (Mitsubishi)

Примечания:

• Перед заменой на аналог рекомендуется сверять распиновку и характеристики.
• В высоконагруженных системах важна эффективная система охлаждения.

Если требуется более точная замена, лучше проверить документацию на конкретное устройство. Нужна помощь с подбором?