IGBT BSM50GP120G

Описание IGBT модуля BSM50GP120G

BSM50GP120G – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и двигательных приводов. Модуль содержит два IGBT транзистора с антипараллельными диодами, собранные по схеме полумоста (Half-Bridge).

Основные преимущества:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (1200 В)
• Низкие потери проводимости и переключения
• Встроенные ультрабыстрые диоды для защиты от обратного напряжения
• Высокая перегрузочная способность
• Гальваническая изоляция основания

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А | | Ток коллектора (I_C) при 80°C | 30 А | | Импульсный ток (I_CP) | 100 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 80 нс | | Время выключения (t_off) | 400 нс | | Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) | | Обратное напряжение диода (V_RRM) | 1200 В | | Макс. рабочая температура (T_j) | 150°C | | Корпус | 17-выводной, изолированный | | Вес | ~160 г |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги от Infineon:

• BSM50GB120DLC (аналог с улучшенными характеристиками)
• BSM50GP60 (600 В версия)

Аналоги от других производителей:

• Mitsubishi: CM50DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI50U-120
• Semikron: SKM50GB12T4

Совместимые модели в схемах:

• Подходит для замены в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах, где используются модули на 1200 В / 50 А.

Применение

• Промышленные приводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные инверторы
• Солнечные инверторы
• Электромобильные зарядные станции

Если нужна дополнительная информация по подключению или замене, уточните условия эксплуатации!