IGBT BSM75GAL120DN2

Описание IGBT модуля BSM75GAL120DN2

BSM75GAL120DN2 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль выполнен в корпусе 34 мм (SEMiX) и содержит два IGBT транзистора с антипараллельными диодами, образующие полумостовую конфигурацию (Half-Bridge).

Применяется в:

• Преобразователях частоты
• Инверторах
• Промышленных приводах
• Системах возобновляемой энергетики (солнечные инверторы, ветрогенераторы)
• Сварочном оборудовании

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|----------------------------------| | Максимальное напряжение (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 75 А | | Импульсный ток (I_CP) | 150 А | | Мощность (P_tot) | 370 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 75 нс | | Время выключения (t_off) | 370 нс | | Диод обратного восстановления (t_rr) | 130 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 К/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C до +150°C | | Корпус | SEMiX 34 мм (Half-Bridge) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от Infineon:

• BSM75GB120DN2 (аналог с улучшенными характеристиками)
• BSM75GD120DN2
• BSM75GAL120DLC (альтернативный вариант)

Совместимые модели от других производителей:

• Fuji Electric: 2MBI75L-120
• Mitsubishi Electric: CM75DY-24H
• SEMIKRON: SKM75GB12T4

Заключение

Модуль BSM75GAL120DN2 подходит для применений, требующих высокой надежности и эффективности в преобразовании энергии. При замене рекомендуется проверять распиновку и характеристики, так как у аналогов могут быть отличия в динамических параметрах и тепловом сопротивлении.

Если нужна дополнительная информация по драйверам или схемы подключения – уточните запрос!