IGBT BSM75GB120DN2

Описание IGBT модуля BSM75GB120DN2

BSM75GB120DN2 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для применения в мощных преобразовательных устройствах, таких как:

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Модуль выполнен в стандартном корпусе 34 мм, содержит два IGBT и два диода, образующих полумостовую схему (Half-Bridge).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 75 А | | Ток коллектора (I_C) при 80°C | 50 А | | Пиковый ток (I_CM) | 150 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 330 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (при I_C = 75 А) | | Время включения (t_on) | 45 нс | | Время выключения (t_off) | 320 нс | | Диод: прямое напряжение (V_F) | 1,85 В (при I_F = 75 А) | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 К/Вт | | Рабочая температура (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | 34 мм (Half-Bridge) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon

• BSM75GB120DN2H (с улучшенными характеристиками)
• BSM75GB120DL2 (альтернативная версия)

Совместимые аналоги от других производителей

• FZ75R12KE3 (Fuji Electric)
• CM75DY-12H (Mitsubishi)
• MG75Q1BS120 (Littelfuse)

Применение и замена

Модуль BSM75GB120DN2 можно заменить на аналоги с похожими характеристиками, но перед заменой необходимо проверить:

• Напряжение (1200 В)
• Ток (75 А)
• Схему включения (Half-Bridge)
• Размеры и расположение выводов

Если требуется более высокая мощность, можно рассмотреть BSM100GB120DN2 (100 А, 1200 В).

Для точного подбора рекомендуется использовать даташит производителя.