IGBT BSM75GB120DN2_E3223

Описание IGBT модуля BSM75GB120DN2_E3223

Производитель: Infineon Technologies
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (NPT IGBT + Freewheeling Diode)
Назначение: Преобразователи частоты, инверторы, сварочное оборудование, промышленные приводы, системы управления электродвигателями.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C @ 25°C): 75 А
• Ток коллектора (I_C @ 80°C): 50 А
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 150 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 300 Вт
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,25 К/Вт

Параметры IGBT:

• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (типовое)
• Время включения (t_on): 60 нс
• Время выключения (t_off): 400 нс

Параметры диода:

• Прямое напряжение (V_F @ I_F = 75A): 1,7 В
• Время восстановления (t_rr): 150 нс

Температурный режим:

• Рабочая температура (T_j): от -40°C до +150°C
• Температура хранения: от -40°C до +125°C

Механические характеристики:

• Корпус: EASY (EconoPACK™ 2)
• Монтаж: винтовое крепление
• Вес: ~100 г

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги от Infineon:

• BSM75GB120DN2 (базовая модель)
• BSM75GB120DN2E3223 (версия с улучшенными характеристиками)

Совместимые модели от других производителей:

• Fuji Electric: 2MBI75U4H-120
• Mitsubishi Electric: CM75DY-24H
• SEMIKRON: SKM75GB12T4

Альтернативные варианты:

• STMicroelectronics: STGW75HF120S
• IXYS: IXGH75N120B3

Заключение

Модуль BSM75GB120DN2_E3223 предназначен для мощных преобразовательных устройств с высоким напряжением и током. Он обладает хорошими динамическими характеристиками и надежностью. В случае замены рекомендуется использовать аналогичные модули от Infineon или проверенные совместимые модели других производителей.

Если требуется точная замена, важно учитывать не только электрические параметры, но и конструктивное исполнение (корпус, расположение выводов).