IGBT BSM75GB120DN2E

Описание IGBT модуля BSM75GB120DN2E

BSM75GB120DN2E – это IGBT-модуль второго поколения (NPT Trench) от Infineon Technologies, предназначенный для мощных преобразователей энергии. Модуль содержит два IGBT транзистора с обратными диодами в полумостовой (half-bridge) конфигурации. Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других промышленных приложениях.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------|----------| | Тип модуля | Полумост (Half-Bridge) | | Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В | | Ном. ток (I_C при 25°C) | 75 А | | Импульсный ток (I_CM) | 150 А | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2.0 В (тип.) | | Время включения/выключения (t_on/t_off) | 60 нс / 320 нс | | Диод обратного восстановления (V_F) | 1.7 В | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 К/Вт | | Корпус | 34 мм (EASY1B) | | Рабочая температура | -40°C...+150°C | | Изоляция | 2500 В (мин.) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (Infineon):

• BSM75GB120DN2 (предыдущая версия)
• BSM75GB120DLC (альтернативный корпус)

Совместимые/аналогичные модели других производителей:

• Fuji Electric: 2MBI75U4H-120
• Mitsubishi Electric: CM75DY-24H
• SEMIKRON: SKM75GB12T4

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль отличается высокой надежностью и эффективностью благодаря технологии NPT (Non-Punch Through) и низким динамическим потерям.

Если нужны дополнительные параметры (графики, схемы подключения), уточните!