IGBT BSM75GD120DN2

Описание IGBT модуля BSM75GD120DN2

BSM75GD120DN2 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от компании Infineon Technologies, предназначенный для мощных силовых применений. Модуль включает в себя два IGBT транзистора с антипараллельными диодами, собранные в полумостовой (half-bridge) конфигурации. Он широко применяется в:

• Промышленных инверторах
• Преобразователях частоты
• Сварочном оборудовании
• Электроприводах
• Системах управления электродвигателями

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 75 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 150 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 330 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2.1 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 55 нс |
| Время выключения (t_off) | 420 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Тип корпуса | SEMITRANS 2 (34 мм) |
| Встроенные диоды | Быстрые обратные диоды (FRD) |

Аналоги и совместимые модели

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги:

• Infineon: BSM75GD120DN2H
• Mitsubishi: CM75DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI75N-120
• SEMIKRON: SKM75GB12T4
• IXYS: MIXA75PF1200

Совместимые модели (полумостовые IGBT на 1200V / 75A):

• BSM75GB120DN2 (Infineon)
• FF75R12KE3 (Infineon)
• CM75DY-12S (Mitsubishi)
• 2MBI75U4H-120 (Fuji)

Примечание

При замене модуля необходимо учитывать:

• Распиновку и конструкцию корпуса
• Тепловые характеристики
• Наличие встроенных диодов

Если вам нужны дополнительные параметры (графики, схемы подключения), уточните!