IGBT BSM75GD120DN2E3224

Описание IGBT модуля BSM75GD120DN2E3224

BSM75GD120DN2E3224 – это двухканальный IGBT-модуль от компании Infineon Technologies, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как:

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электроприводов
• Промышленные системы управления
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварка и индукционный нагрев

Модуль выполнен в стандартном корпусе EASY (с низкой индуктивностью), обеспечивает высокую эффективность и надежность благодаря технологии NPT (Non-Punch Through) IGBT.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C @ 25°C): 75 А
• Ток коллектора (I_C @ 80°C): 50 А
• Импульсный ток (I_CM): 150 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 300 Вт
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,35 К/Вт

Параметры IGBT:

• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2,1 В (тип.)
• Время включения (t_on): 55 нс
• Время выключения (t_off): 320 нс
• Встроенный диод (FRD): Да

Диодные параметры:

• Прямое падение напряжения (V_F): 1,7 В
• Время восстановления (t_rr): 120 нс

Температурные характеристики:

• Рабочая температура (T_j): от -40°C до +150°C
• Температура хранения: от -40°C до +125°C

Механические параметры:

• Корпус: модуль EASY (EconoPACK™ 2)
• Вес: ~100 г
• Крепление: винтовое

Парт-номера и совместимые модели

Альтернативные парт-номера Infineon:

• BSM75GD120DN2 (базовая версия)
• BSM75GD120DN2H (с улучшенными характеристиками)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Fuji Electric: 2MBI75U4H-120
• Mitsubishi Electric: CM75DY-24H
• Semikron: SKM75GB128D

Примечания

• Модуль содержит два IGBT + диода в полумостовой конфигурации (Half-Bridge).
• Подходит для замены устаревших модулей SKM75GB123D (Semikron).
• Рекомендуется использовать с драйверами Infineon 1ED020I12-FA, 2ED020I12-F2.

Если вам нужна дополнительная информация (например, схема включения или графики характеристик), уточните запрос.