IGBT BYM200B170DN2

Описание IGBT BYM200B170DN2

BYM200B170DN2 – это высоковольтный IGBT-транзистор с диодом обратного восстановления (Rapid Diode), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования и промышленных приводов.

Ключевые особенности:

• Высокая мощность и эффективность
• Низкие потери проводимости и переключения
• Встроенный антипараллельный диод
• Высокая температурная стабильность
• Корпус TO-247 для улучшенного теплоотвода

Технические характеристики

Основные параметры IGBT:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1700 В
• Ток коллектора (I_C): 200 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): до 400 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 625 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2.5 В (тип.)
• Время включения (t_on): 50 нс
• Время выключения (t_off): 300 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C

Параметры встроенного диода:

• Прямое напряжение (V_F): 1.7 В (тип.)
• Обратное время восстановления (t_rr): 120 нс

Тепловые характеристики:

• Термическое сопротивление (R_th(j-c)): 0.18 °C/Вт

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги от Infineon:

• IKW75N170T2 (75A, 1700V, TO-247)
• IKW40N170H3 (40A, 1700V, TO-247)

Совместимые модели от других производителей:

• STGW200H170DFS (STMicroelectronics)
• FZ200R170KE3 (Infineon)
• MG200Q1US41 (Toshiba)

Похожие по параметрам IGBT:

• IXGH200N170A (IXYS)
• APT200GN170J (Microsemi)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Тяговые преобразователи

Для замены рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров!