IGBT CM100DU-12E

IGBT CM100DU-12E – Описание и технические характеристики

Описание

Модуль CM100DU-12E – это IGBT-транзистор с интегрированным диодом, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, частотных приводов, инверторов и других силовых электронных устройств. Модуль выполнен по технологии NPT IGBT (Non-Punch Through), что обеспечивает высокую надежность и эффективность в работе.

Корпус Dual (DU), рассчитанный на параллельное подключение, обеспечивает удобство монтажа и хорошие тепловые характеристики.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 600 В
• Ток коллектора (IC @ 100°C): 100 А
• Ток коллектора импульсный (ICM): 200 А
• Падение напряжения (VCE(sat)): 2,5 В (тип.)
• Скорость переключения: средняя
• Тепловое сопротивление переход-корпус (Rth(j-c)): 0,25 °C/Вт

Встроенный диод:

• Обратное напряжение (VRRM): 600 В
• Ток диода (IF): 100 А
• Прямое падение напряжения (VFM): 1,7 В (тип.)

Тепловые параметры:

• Максимальная температура перехода (Tj): 150°C
• Рекомендуемая рабочая температура: -40°C до +125°C

Габариты и монтаж:

• Корпус: модуль с изолированным основанием
• Вес: ~120 г

Парт-номера и совместимые модели

Оригинальный номер производителя (Mitsubishi):

• CM100DU-12E

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF100R12KT4
• Fuji Electric: 2MBI100U4B-060
• SEMIKRON: SKM100GB12T4

Совместимые модели Mitsubishi (в зависимости от заменяемости):

• CM100DU-12F (аналог с улучшенными характеристиками)
• CM100DY-12E (аналог с другим корпусом)
• CM100DU-12NF (новое поколение)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочное оборудование
• Частотные преобразователи
• ИБП и источники питания
• Электроприводы

Модуль CM100DU-12E подходит для замены в ряде устройств, но перед установкой аналога рекомендуется проверять разводку платы и параметры.

Если нужны более точные данные по замене, уточните модель оборудования, где он используется.