IGBT CM100DY12E

Описание IGBT CM100DY12E

CM100DY12E — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным антипараллельным диодом, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, частотных приводов и сварочного оборудования. Модуль рассчитан на высокие токи и напряжения, обладает низкими коммутационными потерями и высокой надежностью.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C @ 25°C) | 100 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CP) | 200 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 6 В |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер (V_GES) | ±20 В |
| Встроенный диод (FWD) | Да |
| Тип корпуса | 2 в 1 (IGBT + диод) |
| Монтаж | Винтовой |
| Рабочая температура (T_j) | -40°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги (Mitsubishi Electric)

• CM100DY12H (новый аналог, улучшенные характеристики)
• CM100DY12F (схожие параметры, другая ревизия)
• CM100DY12G

Совместимые модели от других производителей

• Infineon: FF100R12KT4, FF100R12KE3
• Fuji Electric: 2MBI100U4A-120
• Semikron: SKM100GB12T4
• ON Semiconductor: NGTB100N120IHR

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Данный модуль требует правильного подбора драйвера затвора и системы охлаждения для надежной работы.