IGBT CM100DY-12H

Описание IGBT CM100DY-12H

CM100DY-12H – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) производства Mitsubishi Electric, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования и промышленных приводов. Модуль имеет встроенный обратный диод (FRD) и рассчитан на высокие токи и напряжения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 100 А |
| Пиковый ток (I_CP) | 200 А |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2.1 В (при 100 А) |
| Встроенный диод (FRD) | Да |
| Макс. рабочая температура (T_j) | 150 °C |
| Корпус | 2 в 1 (два IGBT + два диода) |
| Тип монтажа | Винтовой (планшайба) |
| Вес | ~100 г |

Парт-номера и совместимые модели

Оригинальные аналоги от Mitsubishi:

• CM100DY-12NF (аналогичный модуль с другими клеммами)
• CM100DY-24H (версия на 1200 В)
• CM100DY-12NFH (альтернативная версия)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: FF100R06KE3
• Fuji Electric: 2MBI100U2A-060
• SEMIKRON: SKM100GB063D
• ON Semiconductor: NGTB100N60S3

Применение

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Управление электродвигателями

Если вам нужен точный аналог для замены, лучше сверить распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в корпусе и схемотехнике.

Нужна дополнительная информация?