IGBT CM100DY-24H

Описание IGBT CM100DY-24H

CM100DY-24H – это двухключевой IGBT-модуль (Dual IGBT) с внутренними обратными диодами, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль широко используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|-----------------------------------| | Тип модуля | Dual IGBT (N-канальный) с диодами | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 100 А (при 25°C) | | Ток в импульсе (I_CP) | 200 А (кратковременно) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 600 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2,5 В (тип.) | | Время включения (t_on) | ~0,5 мкс | | Время выключения (t_off) | ~1,5 мкс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C до +150°C | | Корпус | Изолированный (модуль) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Mitsubishi: CM100DY-24H (оригинал)
• Fuji Electric: 2MBI100U4A-120
• Infineon: FF200R12KE3 (более мощный аналог)
• SEMIKRON: SKM100GB12T4

Совместимые модели в других линейках:

• CM100DY-12H (600 В, 100 А)
• CM100DY-24A (аналог с другими характеристиками корпуса)
• CM100DY-24NF (с улучшенными параметрами)

Примечания по замене

При выборе аналога следует учитывать:

• Напряжение и ток (V_CES, I_C).
• Наличие встроенного диода.
• Геометрию корпуса и расположение выводов.

Если требуется более современная замена, можно рассмотреть модули с технологией Trench Gate (Infineon, SEMIKRON) – они имеют лучшие динамические характеристики и КПД.

Нужна дополнительная информация по применению или аналогам?