IGBT cm100tu-12e

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT cm100tu-12e
Описание IGBT CM100TU-12E
CM100TU-12E – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с напряжением 1200 В и номинальным током 100 А. Предназначен для применения в мощных импульсных устройствах, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями.
Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, высокую температурную стабильность и встроенный свободно-колебательный диод (FRD) для защиты от обратных токов.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Максимальное напряжение (VCES) | 1200 В | | Номинальный ток (IC) | 100 А (при 25°C) | | Импульсный ток (ICP) | 200 А | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~1.8 В (при 100 А) | | Время включения (ton) | ~60 нс | | Время выключения (toff) | ~200 нс | | Встроенный диод (FRD) | Да | | Корпус | Изолированный (TO-247 или аналогичный) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | ~0.25 °C/Вт |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- Mitsubishi: CM100TU-12F
- Fuji: 2MBI100U-120
- Infineon: FF100R12KT3
- Semikron: SKM100GB12T4
- IXYS: IXGH100N120B3
Совместимые модели (по характеристикам):
- IRG4PH50UD (International Rectifier, 1200V, 50A) – для меньших токов
- CM75TU-12E (аналог на 75 А)
- CM150TU-12E (аналог на 150 А)
Применение
- Преобразователи частоты
- Сварочные инверторы
- Управление электродвигателями
- Импульсные источники питания
Если вам нужна точная замена, рекомендуется сверять datasheet и параметры модуля, так как характеристики могут незначительно отличаться.