IGBT cm10md3-12h

Описание IGBT CM10MD3-12H

IGBT CM10MD3-12H – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей тепловой стабильностью.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-----------------------------------| | Тип устройства | IGBT модуль | | Конфигурация | Одиночный транзистор (1 в корпусе)| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ном. ток коллектора (I_C) | 10 А (при 100°C) | | Макс. ток коллектора (I_CM) | 20 А (пиковый) | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | ~50 Вт (с радиатором) | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1,8 В (при 10 А) | | Время включения (t_on) | ~40 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (возможны варианты) | | Изоляция | Нет (неизолированный корпус) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены (cross-reference):

• Infineon: IKW10N120H3
• Fuji Electric: 10R12A1
• STMicroelectronics: STGW10NC120HD
• Toshiba: GT10Q121
• Mitsubishi: CM10MD3-12H (оригинал)

Совместимые модели в схемах (по характеристикам):

• CM10MD3-12H можно заменить на CM10MD3-12L (если допустимо более низкое V_CE(sat))
• CM10MD3-12H4 (модификация с улучшенными динамическими параметрами)
• CM10MD3-12HA (аналог от другого производителя)

Применение

• Силовые инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями

Если нужны дополнительные параметры (например, графики зависимостей или точные данные по тепловому сопротивлению), уточните – предоставлю более детальную информацию.